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永源微仁懋电子龙腾半导体

SJ-辐照 VDMOS SGT IGBT SiC MOSFET SiC 肖特基二极管

IGBT

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电压（V）	电流(A)	IC@TC = 100°C（A）	Ptot@TC=25℃(W)	VGES（V）	V(BR)CES（V）	VCE(sat)@25℃(V)Typ.	VF (V)Typ.	V(th) @ 25℃(V)Typ.	Cies@250kHz（pF）	Coes@250kHz（pF）	Cres@250kHz（pF）	Eon@25℃(mJ)Typ.	Eoff@25℃(mJ)Typ.	Trr @ 25℃(ns)Typ.	Qrr @ 25℃ (uC)Typ.	Package
1200	40 50 75	40 50 75	349 368 500 595 600	±20 ±30	1200	1.6 1.62 1.65 1.85 2.3	1.9 2.17 2.2 2.8 3.1	5.1 5.15 5.2 5.44 5.89 6	10406.5 3631.82 5130 5236 7143 8268.7	110.9 168.66 169 189.6 223 224.5	12 14.25 15.1 15.21 35 58.2	10.1 2.6 2.854 3.1 5.8 6	1.4 1.6 2.0168 2.4 3.2 4.9	309.4 424.7 452.2 49.6 60.2 69.1	0.3797 0.46 0.4654 1.78 3.113 3.7	TO-247 TO-247PLUS-3

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Coes@250kHz（pF）

Cres@250kHz（pF）

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Eoff@25℃(mJ)Typ.

Trr @ 25℃(ns)Typ.

Qrr @ 25℃ (uC)Typ.

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